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基本参数

1、刻蚀尺寸：4吋及以下；

2、刻蚀材料：单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、GaN、GaAs等；

3、刻蚀速率：0.2~0.9μm/min；

4、刻蚀距离调节：10mm~ 60mm；

5、操作方式：半自动控制方式；

6、系统总控：人机界面及控制程序；

7、电源：220VAC/50Hz，9KW；

8、机器重量：600kg；

9、机器尺寸: D810mm× W1520mm×H1550mm。

电源及刻蚀反应室

1、电源：13.56MHz，0.5KW；

2、反应室：单室，上盖启闭，操作方便；

3、反应室规格：Φ300´110mm；

4、真空度：≤2×10-4 Pa(腔体充分烘烤除气，去湿后)；

5、抽气时间：系统充干燥 N2解除真空后短时暴露，大气压~ 5×10-3 Pa 时间≤ 30min。

真空测量系统及气体配置

1、真空计：数显复合真空计 1套，测量低真空和高真空；

2、供气接口：N2、O2 、CF4、CHF3、SF6以及压缩空气，进气压力 0.4～0.6Mpa，工艺气体纯度为：99.999﹪

冷却系统

1、配备冷却水循环系统；

2、保护系统：对泵、电极等缺水等异常情况进行报警并执行相应保护。